COB温度测试方法

COB (Chip-on-Board) 封装技术因其具有热阻低、光通量密度高、色容差小、组装工序少等优势，在业内受到越来越多的关注。COB 封装技术已在 IC 集成电路中应用多年，但对于广大的灯具制造商和消费者，LED 光源采用 COB 封装还是新颖的技术。

LED 产品的可靠性与光源的温度密切相关，由于 COB 光源采用多颗芯片高密度封装，其温度分布、测量与 SMD 光源有明显不同。本文将介绍 COB 光源的温度分布特点与其内在机理，并对常用的温度测量方法进行比较。

COB 封装就是将芯片直接贴装到光源的基板上，使用时 COB 光源与热沉直接相连，无需进行 SMT 表面组装。SMD 封装则先将芯片贴装在支架上成为一个器件，使用时需将器件贴装到基板上再与热沉连接。

两者的热阻结构示意图如图1所示，相对于 SMD 器件，COB 热阻比 SMD 在使用时少了支架层热阻与焊料层热阻，芯片的热量更容易传递到热沉。

图1：热阻结构示意图

1、常用温度测量方法比较

常用的温度传感器类型有热电偶、热电阻、红外辐射器等。热电偶是由两条不同的金属线组成，一端结合在一起，该连接点处的温度变化会引起另外两端之间的电压变化，通过测量电压即可反推出温度。热电阻利用材料的电阻随材料的温度变化的机理，通过间接测量电阻计算出温度。

红外传感器通过测量材料发射出的辐射能量进行温度测量，三者的主要特征如表1所示。

表1：温度测量方法对比

热电偶成本低廉，在测温领域中最为广泛，探头的体积越小，对温度越灵敏，IEC60598 要求热电偶探头涂上高反射材料减少光对温度测量的影响。但如果将热电偶直接贴在发光面上进行测量，探头吸光转换成热的效果十分明显，会导致测量值偏高。

实际测量中有不少技术人员习惯用高温胶带进行探头固定，如图2所示。这种粘接会加剧这种吸光转热效应，导致测量值严重偏高，偏差可达50℃以上。

图2：错误的温度测量方式

因此，为避免光对热电偶的影响，建议使用红外热成像仪进行温度测量，红外热成像仪除具有响应时间快、非接触、无需断电、快速扫描等优点，还可以实时显示待测物体的温度分布。红外测温原理是基于斯特藩—玻耳兹曼定理，可用以下公式表示。

其中P(T)为辐射能量，σ 为斯特藩—玻耳兹曼常量，ε 为发射率，红外测温的精确与待测材料的发射率密切相关，由于 COB 光源表面的大部分材料发射率是未知的，为了精准测温，可将光源放置在恒温加热台上，待光源加热到一个已知温度处于热平衡状态后，用红外热成像仪测量物体表面温度，再调整材料的发射率，使其温度显示为正确温度。

2、发光面温度实测　

为进一步从实验上研究 COB 光源的热分布，选用我司14年主推的一款定型产品作为实验研究对象，该款光源选用是的高反射率镜面铝为基板，这种封装结构一方面可大幅提高出光效率，另一方面封装形式采用热电分离的形式，没有普通铝基板的绝缘层作为阻拦，可进一步降低热阻和结温，实现 COB 光源高光通量密度输出。

图3：待测镜面铝 COB 光源外观

本次待测样品除了荧光胶的配比不同，其他材料均相同，待测样品的颜色分别为蓝色、2700K和6500K。三款样品的红外热成像结果参见图3(a)、(b)和(c)。

图4：样品红外热成像图

从图中可以看到，蓝色样品的发光面最高温度为93.6℃，2700K的发光面最高温度为124.5℃、6500K的发光面最高温度为107.8℃。

温度的差异可如下解释，白光是由芯片产生的蓝光激发荧光粉混成白光，在蓝光激发荧光粉的过程中，荧光粉和硅胶会吸收一部分光转化成热，经过测量可知蓝色样品的光电转换效率为41.6%，2700K 样品为 32.2%，6500K 为38.5%，2700K 样品的光电转换效率最低，主要原因是 2700K 样品的荧光粉使用量多于 6500K，在蓝光激发荧光粉过程中有更多蓝光转换成热量，相关参数参考表2。

表2：样品光电参数

3、COB 光源的热分布机理　

从上节的测温实例中可知，COB 光源的胶体温度最高可达125℃，而目前大部分芯片能承受的最高结温不能超过125℃，很多灯具厂商认为发光面的温度超过125℃，芯片的温度应该会更高，继而担忧 COB 光源的可靠性。

针对这个问题，芬兰国家技术研究中心的研究人员 Eveliina Juntunen 等在 IEEE 杂志《Components, Packaging and Manufacturing Technology》2013年7月份的期刊上发表了一篇名为“Effect of Phosphor Encapsulant on the Thermal Resistance of a High-Power COB LED Module”专业文章，该文章对 COB 光源的温度分布和内在机理做了深入的研究。

图5：COB 光源的内部温度分布

图5是该文根据试验数据并结合仿真得出的，从图中可以看到，荧光胶的温度可达186℃，但芯片温度只有49.5℃。芯片的温度较低是因为芯片直接贴装到铝基板上方，芯片的热量可通过基板快速传递到散热器上，因此 COB 光源的芯片温度远低于芯片允许的最高结温。

荧光胶的温度高于芯片温度是因为 COB 光源的芯片数量和排列密度高于比普通的 SMD 器件，通过荧光胶的光能量密度明显高于 SMD 器件，荧光粉和硅胶都会吸收一部分的蓝光转换成热，加上硅胶热容与热导率较小，导致荧光胶的温度急剧上升，因此 COB 光源工作时荧光胶的温度会远高于芯片温度。

COB 光源在封装上采用的是将芯片直接贴装到基板上方，热阻较 SMD 器件要小，有利于芯片散热，实际工作中芯片的结温远低于芯片允许的最高结温。由于光源采用多芯片排布，可在较小发光面实现高流明密度输出。

光源工作时，荧光粉和硅胶会吸收一部分光转换成热，高光通量密度输出会导致发光面热量较为集中，导致发光面的温度较高。如果采用热电偶直接测量发光面的温度，热电偶的探头也会吸光转换成热，使温度测量值偏高。

因此为有效研究 COB 光源表面的热分布，建议选用红外热成像仪进行非接触测量。由于 COB 光源发光面的温度高于普通 SMD 器件，因此在封装工艺和材料选择上较 SMD 器件严苛，尤其对荧光粉和硅胶的耐温性提出了更高的要求。

苏佳槟

现任广州硅能照明有限公司技术总监，广东省光环境工程技术研究中心技术负责人。毕业于华南师范大学，研究生专业方向为半导体物理。目前承担两项广州市科技项目，已申请专利10余项，发表论文若干篇。