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广东省科学院半导体研究所先进材料平台从材料生长和器件设计两方面对紫外LED展开了较系统深入的技术研发。首先,采用MOCVD精细生长模式调控技术成功制备出高质量AlGaN材料和高内量子效率的AlGaN量子阱;同时,研究人员采用极化场调控技术和能带工程,将多元合金p-AlInGaN/AlGaN短周期超晶格材料(SPSL)引入到AlGaN基紫外LED的电子阻挡层(EBL)结构中,成功研制出高内量子效率的紫外LED器件。